Wissenschaftler - GaN-Epitaxie / MOCVD (all genders)

INNOVATIONEN AUS EINER HAND

VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS

Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenzschaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft.

Was Sie bei uns tun

In der Abteilung »Epitaxie« arbeiten wir im Rahmen unserer Pilotlinie an der Stärkung der europäischen Halbleiterfertigungskapazität. Wir arbeiten eng mit der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) zusammen und leisten so einen wichtigen Beitrag zur Stärkung der europäischen Wettbewerbsfähigkeit im Bereich der Halbleitertechnologien.

Mit unseren modernen Produktionsanlagen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD) stellen wir Epitaxie-Wafer für mikroelektronische Bauelemente für Anwendungen in der Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik auf Basis des Halbleitermaterials GaN her.

Gemeinsam mit Ihren Kolleg*innen entwickeln Sie MOCVD-Produktionsprozesse für GaN-Bauelementstrukturen weiter, insbesondere hinsichtlich Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit.

In Zusammenarbeit mit dem Geschäftsfeld »Leistungselektronik« akquirieren und steuern Sie nationale sowie internationale Projekte zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie.

Sie arbeiten interdisziplinär mit den Abteilungen »Technologie« und »Mikroelektronik«, um zukunftsweisende Lösungen zu entwickeln.

Was Sie mitbringen

Abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Materialwissenschaft oder Mikrosystemtechnik oder einer ähnlichen Fachrichtung, idealerweise mit Promotion

Erfahrung in der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD), insbesondere in der GaN-Elektronik, sowie Kenntnisse in Materialwissenschaften und der Funktionsweise elektronischer Halbleiterbauelemente

Idealerweise Erfahrung in einem industriellen Umfeld und in Akquise und Leitung von Projekten

Verhandlungssichere Englischkenntnisse

Freude an der Umsetzung von Forschungsergebnissen in konkreten Anwendungen

Selbstständige Arbeitsweise mit der Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten

Teamfähigkeit, Kommunikationsstärke und Begeisterung für experimentelle Arbeit

Was Sie erwarten können

Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette

Breit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung als auch interdisziplinäres Arbeiten

Anwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen Auftraggebern

Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung

Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie

Modernes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Gestalten

Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen

Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland-Ticket/Jobticket sowie vielfältige Gesundheitsangebote (z.B. Pilates)

Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (Mit-Kind-Büro, Möglichkeit zum mobilen Arbeiten u.a.)

Kostenloses Parkhaus mit E-Ladestationen sowie Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) und Bushaltestelle direkt am Institut

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung finden wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern. Das Gleiche gilt, wenn sie aufgrund einer Behinderung nicht alle Profilanforderungen erfüllen.

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD).

Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.

Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich jetzt online mit Ihren aussagekräftigen Bewerbungsunterlagen. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen!

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Unsere Recruiterin Claudia Russo ist für Sie da:

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Kennziffer: 81497 Bewerbungsfrist: